在工业控制、电源管理和高压传感等应用领域，市场对高压小电流功率器件的需求日2.益增长。特别是1700V电压等级的SiC MOSFET，能够直接满足1500V系统的需求，简化拓扑结构，提高系统可靠性。
针对这一细分市场的需求，真茂佳半导体最新推出1700V/1Ω SiC MOSFET，涵盖Vgs=12V和Vgs=18V两种驱动系列的产品，为客户提供更灵活的设计选择，也为高压小电流应用提供理想解决方案。
2.Vgs=18V系列：
一、高压小电流专用功率器件
1700V以上击穿电压：满足1500V系统应用需求，提供充足的安全裕量。
1Ω导通电阻：针对小电流应用优化，实现性能与成本的最佳平衡。
二、多驱动电压适配多场景
多驱动电压支持：
1. Vgs=12V系列：兼容传统硅基驱动方案，相比传统硅基器件，效率提升显著，降低系统成本；
2. Vgs=18V系列：实现更低的RDS(ON) 和最强的导通能力。
设计迁移便利：
TO247-3、TO263-7、TO-3PF标准封装均含两种驱动版本，以便方案替换和升级。
三、通过车规级认证
部分型号已通过车规级测试，满足汽车电子严苛环境要求。
与友商参数实测对比如下：
1.Vgs=12V系列：
2.Vgs=18V系列：
真茂佳产品系列
1.LV/MV MOSFET
真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含RobustFETTM SpeedFETTM和BPFETTM三大系列，击穿电压涵盖-100V~300V，具有高可靠性及出色性能，内阻最低达到0.4mΩ。
其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高、低EMI等优点，目前已有超过20多种封装形式，300多款车规产品，主要应用于热管理（引擎冷却风扇&水泵&油泵）、传统动力系统、底盘（EPS&i-Boost&、ESC&One-Box）、电动化（逆变器&DC-DC&OBC）、车身电子、网联化（T-box等）和智能驾驶&智能座舱等，真茂佳通过器件结构创新和工艺开发，提升功率密度和封装小型化，节省系统空间，增强散热能力，提高器件可靠性。
2.SiC MOSFET
真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术，并开发出可靠、稳健的SiC供应链，为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。
主打产品为SiC MOSFET，产品电压涵盖 650V~4000V，电阻涵盖15mΩ~1.5Ω，现已量产。
真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产 SiC产品，使其具有优异的FOM特性和高可靠性。产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩、光伏逆变器、储能逆变器、工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。
3.IGBT
真茂佳有IGBT芯片、成品及模块等，已量产产品电压涵650V~1200V，其VCESAT典型值为1.57V和 1.67V。真茂佳IGBT产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达200A/cm2的电流密度等优点。真茂佳根据不达同应用及市场需求开发了系列产品：H系列(高频)、T 系列(最佳性能+低损耗)、S 系列等，为客户提供高质解决方案。
