随着新能源与电力电子产业的迅猛发展，市场对高性能IGBT器件的需求进一步升级。
为满足数据中心不间断电源、光伏发电、电机驱动及电动汽车充电桩等多元场景对功率密度、运行效率及系统可靠性的极致要求，真茂佳成功搭建出第七代IGBT技术平台。该平台深度融合前沿设计与先进工艺，为公司精准定义差异化应用需求奠定了更坚实的技术基础。
基于这一平台，真茂佳成功研发出具备国际领先水平的S系列与H系列IGBT产品。
S系列和H系列介绍
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核心性能特点
第七代IGBT（IGBT7）平台采用三大先进技术：精细化沟槽技术+ 多层场截止层优化技术+ 超薄晶圆技术。
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产品优势
第七代IGBT（IGBT7）平台实现了对前代产品的全面性能超越。它凭借更快的开关速度、更优的导通/关断损耗权衡以及更稳健的栅控能力，显著提升了系统的效率与功率密度，有力推动了电力电子系统向高效化、紧凑化发展。
综合评估表明，IGBT7在多项核心性能指标上已超越当前市场主流产品，达到国际领先水平。主要体现在：
1.真茂佳 1200V IGBT7 S系列对比主流国内外同系列产品：
具有最低的Vcesat和Eoff，Trade-off折中做到国际领先。
2.真茂佳 1200V IGBT7 H系列对比国内外同系列主流产品:
导通/关断损耗权衡特性处于第一梯队。
3.真茂佳 1200V IGBT7 S系列 VS 前一代产品和竞品:
总损耗分别降低了约20%和12%。
4.真茂佳 1200V IGBT7 S系列 VS 前一代产品:
功率密度提升了约31%。
5.在开启和关断过程中，相比于竞品，真茂佳1200V IGBT7 S系列都显示出更低的dv/dt，具有更稳定的栅控制能力。
6.真茂佳 1200V IGBT7 S系列具有更优的关断特性。
7.真茂佳 1200V IGBT7 S系列在800V条件下，实现短路电流大于10us。
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应用领域
S系列：电机驱动、热泵等
H系列：光伏、储能、开关电源等
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产品系列
S系列和H系列产品矩阵如下：
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关于真茂佳
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深圳真茂佳半导体有限公司成立于2016年，是一家专注于车规级功率半导体设计与开发的国家高新技术企业，目前客户群体已覆盖24+家OEM企业，累计出货量达数十亿颗，产品线覆盖中低压MOSFET、SiC MOSFET、IGBT及GaN等全系列，其中，车规级MOSFET产品已超300款。真茂佳不仅是全球Top级的车规 MOSFET 方案提供商，同时也是国内量产车规MOSFET种类最多且连续出货时间最长的民族品牌！
1.LV/MV MOSFET
真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含：RobustFETTM SpeedFETTM和BPFETTM三大系列，击穿电压涵盖-100V~300V，具有高可靠性及出色性能，内阻最低达到0.4mΩ。其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高、低EMI等优点，目前已有超过20多种封装形式，300多款车规产品，主要应用于热管理、传统动力系统、底盘、电动化、车身电子、网联化和智能驾驶&智能座舱等，真茂佳通过器件结构创新和工艺开发，提升功率密度和封装小型化，节省系统空间，增强散热能力，提高器件可靠性。
2.SiC MOSFET
真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术，并开发出可靠、稳健的SiC供应链，为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。主打产品为SiC MOSFET，产品电压涵盖 650V~4000V，电阻涵盖15mΩ~1.5Ω，现已量产。真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产 SiC产品，使其具有优异的FOM特性和高可靠性。产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩、光伏逆变器、储能逆变器、工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。
3.IGBT
真茂佳有IGBT芯片、成品及模块等，已量产产品电压涵650V~1200V，其VCESAT典型值为1.57V和 1.67V。
真茂佳IGBT产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达200A/cm2的电流密度等优点。真茂佳根据不达同应用及市场需求开发了系列产品：H系列(高频)、T 系列(最佳性能+低损耗)、S 系列等，为客户提供高质解决方案。
