真茂佳半导体SHV SiC系列 3300V SiC MOSFET产品已批量交付，以下为具体产品介绍。
1 应用领域
SHV SiC系列主要应用于轨道交通、电力与能源、工业控制、特种电源与充电等领域。
轨道交通：动车、机车、地铁等车辆的牵引变流器和辅助电源等。
电力与能源：光伏/可再生能源发电系统（特别是1500V系统）、智能电网、固态变压器、固态断路器等。
工业控制：大功率工业电机驱动、伺服系统、通用逆变器等。
特种电源与充电：EV快速充电器、脉冲电源、离子束发生器、压电驱动器等。
2 ZMJ 3300V 1Ω SiC MOSFET产品优势
以下为ZMJ 3300V SiC MOS与友商G**实测数据对比：
一、性能对比1
Qgs/Qgd：ZMJ更大，抗寄生导通能力强
Qgd：ZMJ Qgd表现优异
Qg：ZMJ Qg 更小，需要的栅极驱动电流更小
VSD：ZMJ VSD更低，体二极管损耗更低
ZMJ 3300V SiC MOS与友商G**实测数据对比
二、性能对比2
RDS(ON)：ZMJ RDS(ON)更小，功率损耗更低，效率更高
BVDSS：ZMJ 耐压余量更大
FOM1(RDS(ON) * Qgd)：ZMJ优值更小，性能更好
FOM2 (RDS(ON) * Qg)：ZMJ优值更小，性能更好
3 新封装优势
我们针对SHV SiC产品推出了基于TO-263-7封装的升级封装TO-263 7L AKA J2 POD，其爬电距离有巨大提升，显著提高了系统的电气安全性和长期可靠性，防止在高电压下发生沿面击穿或短路。
ZMJ TO-263-7 POD
G** TO-263 POD
ZMJ TO-263 7L AKA J2 POD
ZMJ TO-263-7 POD爬电距离为6.88mm， TO-263 7L AKA J2 POD爬电距离为8.3mm， 爬电距离增加20.6%。
友商POD爬电距离与我司TO-263-7 POD相同，但是小于我司TO-263 7L AKA J2 POD 8.2mm。
TO-263 7L AKA J2 POD能够满足最大额定耐压的90%，而TO-263-7 POD仅能满足最大额定耐压的80%。
后续，真茂佳会继续推出更优的封装形式，供客户选择应用。
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关于真茂佳
ZMJSEMI
深圳真茂佳半导体有限公司成立于2016年，是一家专注于车规级功率半导体设计与开发的国家高新技术企业，目前客户群体已覆盖24+家OEM企业，MOSFET累计出货量超15亿颗，产品线覆盖中低压MOSFET、SiC MOSFET、IGBT及GaN等全系列，其中，车规级MOSFET产品已超300款。真茂佳不仅是全球Top级的车规 MOSFET 方案提供商，同时也是国内量产车规MOSFET种类最多且连续出货时间最长的民族品牌！
LV/MV MOSFET
真茂佳汽车级功率MOSFET主要包含：RobustFETTM SpeedFETTM和BPFETTM三大系列，击穿电压涵盖-100V~300V，具有高可靠性及出色性能，内阻最低达到0.4mΩ。其低导通电阻和针对应用而优化的动态参数带来损耗小、效率高、低EMI等优点，目前已有超过20多种封装形式，300多款车规产品，主要应用于热管理、传统动力系统、底盘、电动化、车身电子、网联化和智能驾驶&智能座舱等，真茂佳通过器件结构创新和工艺开发，提升功率密度和封装小型化，节省系统空间，增强散热能力，提高器件可靠性。
SiC MOSFET
真茂佳同样专注于高性能第三代功率半导体技术，并开发出可靠、稳健的SiC供应链，为国内电源、动力驱动及能源转换行业提供从分立器件到模组级解决方案。主打产品为SiC MOSFET，产品电压涵盖 650V~4000V，电阻涵盖15mΩ~1.5Ω，现已量产。真茂佳半导体公司完全按照高标准技术和工艺要求生产 SiC产品，使其具有优异的FOM特性和高可靠性。产品除了车用也适用于工业及新能源行业的充电桩、光伏逆变器、储能逆变器、工业电机驱动和高性能辅助电源等应用场景。
IGBT
真茂佳有IGBT芯片、成品及模块等，已量产产品电压涵650V~1200V，其VCESAT典型值为1.57V和 1.67V。
真茂佳IGBT产品具有超低饱和压降、超低的动态损耗、更优的折中曲线及高达200A/cm2的电流密度等优点。真茂佳根据不达同应用及市场需求开发了系列产品：H系列(高频)、T 系列(最佳性能+低损耗)、S 系列等，为客户提供高质解决方案。
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