在本次上海慕尼黑电子展上，真茂佳重点展出了最新研发的增强型GaN晶体管，并展示了8英寸GaN晶圆，吸引了众多行业专业人士的关注和交流。
一、展出的第三代半导体产品
本次展出的100V增强型GaN晶体管将装配QFN 3×5封装，主要参数包括：
•耐压（V）：100V
•阈值电压（Vth）：~2V
•最大导通电阻（Rds(on)）：3.8mΩ
该产品适用于电机驱动、DC/DC转换器等高效率电源应用，尤其适合40V~60V降至5V~12V的高功率密度模块设计。预计2025年Q4，真茂佳还将推出WLCSP封装版本，以适配激光雷达、D类音频放大器等更广泛的应用场景。
二、产品核心优势
1.高可靠性栅极设计
采用专利保护的ESD结构，HBM（人体放电模型）静电防护能力达到±2000V，提升器件在严苛环境下的稳定性。
2.高效率与低损耗
3.8mΩ的超低导通电阻，减少开关损耗的同时，提升系统能效。
3.灵活封装方案
当前提供QFN封装，适用于工业级电源模块；后续将推出WLCSP封装，满足小型化、低寄生以及高集成度需求。
三、现场交流与合作
展会期间，真茂佳团队与多家行业客户及合作伙伴深入探讨了GaN技术在电源管理、电机驱动、激光雷达等领域的应用，并收集了宝贵的市场反馈。
关于真茂佳
真茂佳专注于先进功率半导体设计与特色封测工艺的高新技术企业。公司致力于为客户提供高性能、高可靠性的功率电子解决方案。在第三代半导体领域，真茂佳持续投入研发，优化产品性能，拓展更多应用场景，助力行业创新。
