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宽禁带半导体(SiC&GaN)
GaN Mosfet

概览

以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料具有高击穿电场强度、高截止频率、高热传导率、高结温和良好的热稳定性、强抗辐射能力等特点，宽禁带半导体材料是被称为第三代半导体材料。 新产品正在努力开发中，敬请期待。



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